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变频器是桥型结构IGBT的下三个桥臂

过流保护主要是指突然变化,电流峰值大于逆变器允许值。由于逆变器过载能力差,过流保护是一个关键环节,目前已经得到了很好的发展。

当门极G和发射极E之间的电压大于某一阀值电压时,IGBT就会导通。如果该电压为零或施加反向电压,则关闭电源,与MOS驱动相似,但由于存在结电容量,其通道需要一定的电流,即驱动电力大于MOS管。若驱动电路的阻容老化,或光耦出现问题,会导致驱动IGBT的能力不足,而引起诸如过流等报警。正常IGBT的正向导通电压为12-15伏,截止电压为-5-9伏。

此外,变频器是桥型结构,IGBT的下三个桥臂由于射极e与直流母线的负极连接,因此易于控制。此外,IGBT上的三个桥臂射极e连接到下三个桥的c极上,电压高,驱动麻烦,需要隔离电源和光耦合等来实现控制。
就寄生电容的影响而言,还存在一些干扰问题,变频器在IGBT截断时,都会对门极施加反电压,这也是变频器开关电源输出±15伏隔离电源的根本原因。如果该电源不能正常工作,IGBT导游也有问题。

由于IGBT都有二极管的保护装置,所以在燃烧的时候,这个二极管经常被燃烧,可以简单地用万用表的二极管挡板或者*1电阻挡板来测量二极管的通断。

若要测量其导通性能,可分别在集电极C和发射极上加上上万个表表笔的正负端,然后给门极一个触发电压(用手指触碰万用正表笔和门极),此时表针就会晃动,停在与导通相同的位置。另外给门极一个复位0电压(用手指触碰万用表负表笔同时触碰门极),此时表针将复位。

使用一段时间后,绝缘问题绝缘问题,可以使用绝缘压缩表测量其压缩,看它是否与标称一致,如果不一致,也要更换。


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